系统概述：

      交流阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体器件施加阻断（或反偏）电压，按照规定的时间，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
      一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否通过， 同时获取相关试验数据。
      该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置，作交流阻断（或反偏）耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反偏耐久性试验、高温漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。

漏电流保护回路：

      在每一试品试验回路中都配置有0.1A的保险丝，当试品在试验期内发生劣化或突然击穿或转折，保险丝将熔断，设备面板上的相应工位的氖灯点亮示警，同时蜂鸣器报警提示。

试验电压保护回路：

      试验电压由衰减板衰减取样后反馈到控制单元，通过峰保器输出与电压设定值比较，当试验电压高于电压保护设定值时，过压报警器响，同时保护继电器动作切断高压输出。

高压回路：

      由电源开关、控制继电器、自藕调压器、高压变压器、波形变换电路组成，产生规定的试验电压并通过组合高压线排，接入试品工位。

               技术指标：