产品介绍:


       SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的首选半导体材料。然而生长优质的SiC单晶非常困难，其中第一要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。


       合能阳光提供的SiC晶种，可充分满足不同需求的客户，优质的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了可靠的保障。


标准技术参数：


型号：4H-N/Si  6H-N/Si


等级：工业级   研究级


 直径：2寸  4寸 
6寸


 厚度：330 μm±25μm   500μm±25μm  


 晶片方向：Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N  On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si


微管密度： ≤ 5 cm -2


电阻率范围：0.0015-0.1Ω·cm


主定位边方向：{10-10}±5.0°


次定位边方向：Silicon
face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°


边缘去除：2mm


局部厚度变化/弯曲度/翘曲度：≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm


表面粗糙度 ：抛光Ra ≤ 1 nm  清洗 Ra ≤ 0.5 nm


裂纹（强光观测）：无       


六方空洞（强光灯观测）：面积 ≤ 0.05%


多型(强光灯观测)：无


目测包裹物（日光灯观测）：面积 ≤ 0.05%


划痕(强光灯观测)： 无


崩边：无


表面污染物（强光灯观测）：无


包装：真空盒装                  


 


典型客户:

美国，欧洲，亚洲及国内SiC晶体生产和衬底企业。