采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc）内部硅片分布均匀，Rth(j-c)低内部封装电感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分离，便于直流母排连接多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接内部集成NTC用于测量Tc温度 P侧和N侧IGBT单元均有辅助集电极端子

产品型号     参数说明
CM2500DY-24S   2500A/1200V
CM1800DY-34S   1800A/1700V

发布时间：2024-04-30 09:22:58

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