内部集成极低RDS内阻10豪欧金属氧化物半导体场效应晶体管的(MOSFET) ，外部不需要整流二极管。输入工作电压宽至4.5V到21V，输出电压0.8V可调至17V。2A的连续负载电流输出可保证系统各状态下稳定运行。其效率高达94%，满足各系统日益增强的节能和持久工作的要求。内部振荡频率600KHz ,以保证对系统其它部分的EMI干扰最小。该芯片还具有软启动和逐周期过流保护、短路保护及过温保护功能。