原装进口INFINEON全新二极管DD435N40K、DD241S12K-A《正品保障》
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容
可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证
"Infineon"(英飞凌)双二极管模块DD89N12K、DD89N14K、DD89N16K、DD89N18K
DD98N20K、DD98N22K、DD98N24K、DD98N25K、
DD104N12K、DD104N14K、DD104N16K、DD104N18K
DD106N12K、DD106N14K、DD106N16K、DD106N18K、DD106N20K、DD106N22K
DD151N12K、DD151N14K、DD151N16K、DD151N18K、DD151N20K、DD151N22K、
DD171N12K、DD171N14K、DD171N16K、DD171N18K
DD175N28K、DD175N30K、DD175N32K、DD175N34K
DD231N20K、DD231N22K、DD231N24K、DD231N24K
DD260N12K、DD260N14K、DD260N16K、DD260N18K
DD261N20K、DD261N22K、DD261N24K、DD261N26K
DD285N04K、DD285N06K、DD285N08K
DD350N12K、DD350N14K、DD350N16K、DD350N18K
DD435N28K、DD435N30K、DD435N32K、DD435N34K
DD435N36K、DD435N38K、DD435N40K
DD540N20K、DD540N22K、DD540N24K、DD540N26K
DD600N12K、DD600N14K、DD600N16K、DD600N18K
英飞凌二极管模块的特点:
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
☆参数离散性小,便于批量生产使用
☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有最优的性能价格比
☆型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大
☆600V IGBT单管最大工作结温可达Tjmax≤175℃
☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
☆正温被系数饱和压降易于并联
代理经销以下ZM品牌功率半导体器件
1:日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。
2:德国西门康SEMIKRON:IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3:德国英飞凌Infineon:IGBT模块;PIM模块;可控硅模块。
4:德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5:日本三菱MITSUBISHI:IGBT模块;IPM模块;PIM模块。
6:日本富士FUJI:IGBT模块;IPM模块;三相整流桥模块。
7:美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8:日本东芝TOSHIBA:IGBT模块;整流桥模块;GTO门极关断可控硅。
9:IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。
10:英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。
11:意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
12:英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门极可关断可控硅。
13:瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门极可关断可控硅。
14:快速熔断器:美国BUSSMANN。
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