[中介]采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用额定电流定义比市场上同类产品高一个等级外形尺寸与H系列IGBT完全兼容内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小通过调整底板和